RHU002N06

RHU002N06, RHU002N06T106

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрRHU002N06T106
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<200 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
15 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<200 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
Заряд затвора
QG
4.4 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate