На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | RFD3055LE | RFD3055LESM | RFD3055LESM9A | RFD3055SM | RFD3055SM9A | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <53 Вт | <53 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | <11 А | <11 А | <12 А | <12 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <107 мОмId, Vgs = 8A, 5V | <107 мОмId, Vgs = 8A, 5V | <107 мОмId, Vgs = 8A, 5V | <150 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Заряд затвора | QG | 11.3 нCVgs = 10V | 11.3 нCVgs = 10V | 11.3 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 20V | 23 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |