На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | RFD16N05LSM | RFD16N05LSM9A | RFD16N05SM | RFD16N05SM9A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <60 Вт | <60 Вт | <72 Вт | <72 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 900 пФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <50 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <47 мОмId, Vgs = 16A, 5V | <47 мОмId, Vgs = 16A, 5V | <47 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <47 мОмId, Vgs = 16A, 10V |
Заряд затвора | QG | 80 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 20V | 80 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |