RFD14N05LSM

RFD14N05, RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFD14N05LSM9A, RFD14N05SM, RFD14N05SM9A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрRFD14N05LRFD14N05LSMRFD14N05LSM9ARFD14N05SMRFD14N05SM9A
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<48 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
670 пФVds = 25V670 пФVds = 25V670 пФVds = 25V570 пФVds = 25V570 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В
Постоянный ток стока
IDSS
<14 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<100 мОмId, Vgs = 14A, 5V<100 мОмId, Vgs = 14A, 5V<100 мОмId, Vgs = 14A, 5V<100 мОмId, Vgs = 14A, 10V<100 мОмId, Vgs = 14A, 10V
Заряд затвора
QG
40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 20V40 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandard