На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | RFD12N06RLE | RFD12N06RLESM9A | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <49 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 485 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <63 мОмId, Vgs = 18A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | |
Заряд затвора | QG | 15 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |