PSMN5R0-80PS,127

PSMN5R0, PSMN5R0-30YL,115, PSMN5R0-80PS,127

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPSMN5R0-30YL,115PSMN5R0-80PS,127
Корпус микросхемы
Корпус
LFPak-4TO-220AB-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстия
Мощность
P
<61 Вт<270 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.76 нФVds = 12V6.793 нФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В<80 В
Постоянный ток стока
IDSS
<84 А<100 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5 мОмId, Vgs = 15A, 10V<4.7 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Заряд затвора
QG
29 нCVgs = 10V101 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateStandard