На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PSMN4R0-30YL,115 | PSMN4R0-40YS,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | LFPak-4 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <69 Вт | <106 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.09 нФVds = 12V | 2.41 нФVds = 20V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <40 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <99 А | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Заряд затвора | QG | 36.6 нCVgs = 10V | 38 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |