На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PSMN2R0-30PL,127 | PSMN2R0-30YL,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB-3 | LFPak-4 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <211 Вт | <97 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6.81 нФVds = 12V | 3.98 нФVds = 12V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.1 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <2 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 117 нCVgs = 10V | 64 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |