На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PSMN057-200B,118 | PSMN057-200P,127 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220AB-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия |
Мощность | P | <250 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.75 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <39 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <57 мОмId, Vgs = 17A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 96 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |