На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PSMN015-100B,118 | PSMN015-100P,127 | PSMN015-110P,127 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220AB-3 | TO-220AB-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | В отверстия |
Мощность | P | <300 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.9 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | <100 В | <110 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <15 мОмId, Vgs = 25A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 90 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||