На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PSMN009-100B,118 | PSMN009-100P,127 | PSMN009-100W,127 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220AB-3 | TO-247-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | В отверстия |
Мощность | P | <230 Вт | <230 Вт | <300 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.25 нФVds = 25V | 8.25 нФVds = 25V | 9 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | <75 А | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <8.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 156 нCVgs = 10V | 156 нCVgs = 10V | 214 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||