PSMN004-55W,127

PSMN004, PSMN004-36B,118, PSMN004-55W,127, PSMN004-60B,118, PSMN004-60P,127

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		PSMN004-36B,118	PSMN004-55W,127	PSMN004-60B,118	PSMN004-60P,127
Корпус микросхемы	Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-247-3	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220AB-3
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	В отверстия
Мощность	P	<230 Вт	<300 Вт	<230 Вт	<230 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	6 нФVds = 20V	13 нФVds = 25V	8.3 нФVds = 25V	8.3 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<36 В	<55 В	<60 В	<60 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<75 А	<100 А	<75 А	<75 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<4 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<4.2 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<3.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<3.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET	Серия	TrenchMOS™
Заряд затвора	Q_G	97 нCVgs = 5V	226 нCVgs = 5V	168 нCVgs = 10V	168 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard