На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PMR280UN,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <530 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 45 пФVds = 20V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <980 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <340 мОмId, Vgs = 200mA, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 890 пCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |