PMF370XN,115

PMF370, PMF370XN,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPMF370XN,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<560 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
37 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<870 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<440 мОмId, Vgs = 200mA, 4.5V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMOS™
Заряд затвора
QG
650 пCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate