На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PHU11NQ10T,127 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <57.7 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 360 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <10.9 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 14.7 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |