PHT2NQ10

PHT2NQ10, PHT2NQ10T,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPHT2NQ10T,135
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<6.25 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
160 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<430 мОмId, Vgs = 1.75A, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMOS™
Заряд затвора
QG
5.1 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard