На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PHD16N03LT,118 | PHD16N03T,118 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <32.6 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 210 пФVds = 30V | 180 пФVds = 30V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | <13.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <67 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 13A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 8.5 нCVgs = 10V | 5.2 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |