На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PH5330E,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | LFPak-4 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <62.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.01 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.7 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 21 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |