NTS4173PT1G

NTS4173P, NTS4173PT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTS4173PT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<290 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
430 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<150 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
Заряд затвора
QG
10.1 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate