NTS4101PT1

NTS4101P, NTS4101PT1, NTS4101PT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTS4101PT1NTS4101PT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<329 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
840 пФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.37 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<120 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
Заряд затвора
QG
9 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate