NTR4171PT1G

NTR4171P, NTR4171PT1G, NTR4171PT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTR4171PT1GNTR4171PT3G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный(не задано)
Мощность
P
<480 мВт(не задано)
Входная емкость полевого транзистора
C11
720 пФVds = 15V(не задано)
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В(не задано)
Постоянный ток стока
IDSS
<2.2 А(не задано)
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch(не задано)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<75 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V(не задано)
Заряд затвора
QG
15.6 нCVgs = 10V(не задано)
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate(не задано)