На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTR4170NT1G | NTR4170NT3G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | (не задано) |
Мощность | P | <780 мВт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 432 пФVds = 15V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.2 А | (не задано) |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | (не задано) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <55 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 4.76 нCVgs = 4.5V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | (не задано) |