NTR1P02LT1G

NTR1P02, NTR1P02LT1, NTR1P02LT1G, NTR1P02LT3G, NTR1P02T1, NTR1P02T1G, NTR1P02T3, NTR1P02T3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTR1P02LT1NTR1P02LT1GNTR1P02LT3GNTR1P02T1NTR1P02T1GNTR1P02T3NTR1P02T3G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностный(не задано)ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<400 мВт<400 мВт(не задано)<400 мВт<400 мВт<400 мВт<400 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
225 пФVds = 5V225 пФVds = 5V(не задано)165 пФVds = 5V165 пФVds = 5V165 пФVds = 5V165 пФVds = 5V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В<20 В(не задано)<20 В<20 В<20 В<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.3 А<1.3 А(не задано)<1 А<1 А<1 А<1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-chP-ch(не задано)P-chP-chP-chP-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V<220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V(не задано)<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
Заряд затвора
QG
5.5 нCVgs = 4V5.5 нCVgs = 4V(не задано)2.5 нCVgs = 5V2.5 нCVgs = 5V2.5 нCVgs = 5V2.5 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level Gate(не задано)Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate