На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTR1P02LT1 | NTR1P02LT1G | NTR1P02LT3G | NTR1P02T1 | NTR1P02T1G | NTR1P02T3 | NTR1P02T3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | (не задано) | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <400 мВт | <400 мВт | (не задано) | <400 мВт | <400 мВт | <400 мВт | <400 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 225 пФVds = 5V | 225 пФVds = 5V | (не задано) | 165 пФVds = 5V | 165 пФVds = 5V | 165 пФVds = 5V | 165 пФVds = 5V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | <20 В | (не задано) | <20 В | <20 В | <20 В | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.3 А | <1.3 А | (не задано) | <1 А | <1 А | <1 А | <1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | P-ch | (не задано) | P-ch | P-ch | P-ch | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V | <220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V | (не задано) | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 5.5 нCVgs = 4V | 5.5 нCVgs = 4V | (не задано) | 2.5 нCVgs = 5V | 2.5 нCVgs = 5V | 2.5 нCVgs = 5V | 2.5 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | (не задано) | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |