NTR0202PLT1G

NTR0202P, NTR0202PLT1, NTR0202PLT1G, NTR0202PLT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTR0202PLT1NTR0202PLT1GNTR0202PLT3G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<225 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
70 пФVds = 5V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<400 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<800 мОмId, Vgs = 200mA, 10V
Заряд затвора
QG
2.18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate