NTP35N15G

NTP35N15, NTP35N15G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTP35N15G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<178 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<37 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<50 мОмId, Vgs = 18.5A, 10V
Заряд затвора
QG
100 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard