NTP30N06

NTP30N06, NTP30N06L, NTP30N06LG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTP30N06LNTP30N06LG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<88.2 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.15 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<30 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V
Заряд затвора
QG
32 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate