NTP18N06

NTP18N06, NTP18N06G, NTP18N06L, NTP18N06LG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTP18N06GNTP18N06LNTP18N06LG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<48.4 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
450 пФVds = 25V440 пФVds = 25V440 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V<100 мОмId, Vgs = 7.5A, 5V<100 мОмId, Vgs = 7.5A, 5V
Заряд затвора
QG
22 нCVgs = 10V20 нCVgs = 5V20 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
StandardLogic Level GateLogic Level Gate