На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMSD6N303R2 | NTMSD6N303R2G | NTMSD6N303R2SG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 950 пФVds = 24V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <6 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <32 мОмId, Vgs = 6A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | FETKY™ | ||
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | ||