На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMSD2P102LR2 | NTMSD2P102LR2G | NTMSD2P102R2 | NTMSD2P102R2SG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <710 мВт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 750 пФVds = 16V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.3 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 2.4A, 4.5V | |||
Серия MOSFET | Серия | FETKY™ | FETKY™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |||