На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMS5P02R2 | NTMS5P02R2G | NTMS5P02R2SG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <790 мВт | <790 мВт | <380 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.9 нФVds = 16V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.95 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <33 мОмId, Vgs = 5.4A, 4.5V | ||
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||