NTMS4802NR2G

NTMS4802N, NTMS4802NR2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTMS4802NR2G
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<910 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.3 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<11.1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4 мОмId, Vgs = 18A, 10V
Заряд затвора
QG
36 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate