На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMFS4847NAT1G | NTMFS4847NAT3G | NTMFS4847NT1G | NTMFS4847NT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DFN, SO8 FL | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <880 мВт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.614 нФVds = 12V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <11.5 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 28 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||