На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMFS4845NT1G | NTMFS4845NT3G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DFN, SO8 FL | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <890 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.72 нФVds = 12V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <13.7 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 39 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |