NTMFS4839NHT3G

NTMFS4839N, NTMFS4839NHT1G, NTMFS4839NHT3G, NTMFS4839NT1G, NTMFS4839NT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTMFS4839NHT1GNTMFS4839NHT3GNTMFS4839NT1GNTMFS4839NT3G
Корпус микросхемы
Корпус
5-DFN, SO8 FL
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<870 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.354 нФVds = 12V2.354 нФVds = 12V1.588 нФVds = 12V1.588 нФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<9.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
19.5 нCVgs = 4.5V19.5 нCVgs = 4.5V18 нCVgs = 4.5V18 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate