NTMFS4837N

NTMFS4837N, NTMFS4837NHT1G, NTMFS4837NHT3G, NTMFS4837NT1G, NTMFS4837NT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTMFS4837NHT1GNTMFS4837NHT3GNTMFS4837NT1GNTMFS4837NT3G
Корпус микросхемы
Корпус
5-DFN, SO8 FL
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<880 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.016 нФVds = 12V3.016 нФVds = 12V2.048 нФVds = 12V2.048 нФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<10.2 А<10.2 А<10 А<10 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
23.8 нCVgs = 4.5V23.8 нCVgs = 4.5V22 нCVgs = 4.5V22 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate