NTMFS4701N

NTMFS4701N, NTMFS4701NT1G, NTMFS4701NT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTMFS4701NT1GNTMFS4701NT3G
Корпус микросхемы
Корпус
6-DFN, SO8 FL
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<900 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.28 нФVds = 24V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<8 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Заряд затвора
QG
15 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate