На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTLJS4149PTAG | NTLJS4149PTBG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-WDFN | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | (не задано) |
Мощность | P | <700 мВт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 960 пФVds = 15V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.7 А | (не задано) |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | (не задано) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <62 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 15 нCVgs = 4.5V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | (не задано) |