На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTLJF3117PT1G | NTLJF3117PTAG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-WDFN | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <710 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 531 пФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.3 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V | |
Заряд затвора | QG | 6.2 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |