На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTHS5402T1 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET™ |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.3 Вт |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.9 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |