На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTHD4N02FT1 | NTHD4N02FT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET™ | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <910 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 300 пФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.9 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | |
Заряд затвора | QG | 4 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |