NTGS3433T1G

NTGS3433, NTGS3433T1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTGS3433T1G
Корпус микросхемы
Корпус
6-TSOP
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
550 пФVds = 5V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<12 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3.3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<75 мОмId, Vgs = 3.3A, 4.5V
Заряд затвора
QG
15 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate