На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTGS1135PT1G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <970 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.2 нФVds = 6V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <31 мОмId, Vgs = 4.6A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 21 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |