На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD85N02R | NTD85N02R-001 | NTD85N02R-1G | NTD85N02RG | NTD85N02RT4 | NTD85N02RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <1.25 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.05 нФVds = 20V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <24 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <12 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V | |||||
Заряд затвора | QG | 17.7 нCVgs = 5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||