На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD80N02-001 | NTD80N02-1G | NTD80N02G | NTD80N02T4 | NTD80N02T4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <75 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.6 нФVds = 20V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <24 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | ||||
Заряд затвора | QG | 42 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||