NTD6600N-1G

NTD6600N, NTD6600N-001, NTD6600N-1G, NTD6600NT4, NTD6600NT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD6600N-001NTD6600N-1GNTD6600NT4NTD6600NT4G
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.28 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
700 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<146 мОмId, Vgs = 6A, 5V
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate