NTD65N03R

NTD65N03, NTD65N03R, NTD65N03R-001, NTD65N03R-035, NTD65N03R-1G, NTD65N03R-35G, NTD65N03RG, NTD65N03RT4, NTD65N03RT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD65N03RNTD65N03R-001NTD65N03R-035NTD65N03R-1GNTD65N03R-35GNTD65N03RGNTD65N03RT4NTD65N03RT4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.3 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.4 нФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<9.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<8.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
16 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate