NTD60N03T4

NTD60N03, NTD60N03-001, NTD60N03T4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD60N03-001NTD60N03T4
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<75 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.15 нФVds = 24V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<28 В
Постоянный ток стока
IDSS
<60 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<7.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
30 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate