На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD60N02R | NTD60N02R-035 | NTD60N02R-1G | NTD60N02R-35G | NTD60N02RG | NTD60N02RT4 | NTD60N02RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <1.25 Вт | ||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.33 нФVds = 20V | ||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <8.5 А | ||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V | ||||||
Заряд затвора | QG | 14 нCVgs = 4.5V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||