NTD50N03R

NTD50N03, NTD50N03R, NTD50N03R-001, NTD50N03R-035, NTD50N03R-1G, NTD50N03R-35G, NTD50N03RG, NTD50N03RT4, NTD50N03RT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD50N03RNTD50N03R-001NTD50N03R-035NTD50N03R-1GNTD50N03R-35GNTD50N03RGNTD50N03RT4NTD50N03RT4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
750 пФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7.8 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<12 мОмId, Vgs = 30A, 11.5V
Заряд затвора
QG
15 нCVgs = 11.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate